微电子科学与工程
基于AlGaN电子阻挡层和ZnO基异质结 发光二极管的制备
近年来，随着光电子产业的发展，氧化锌(ZnO)和氮化镓(GaN)作为II-VI族和III-V族化合物半导体材料的代表受到人们的广泛关注与研究。ZnO作为一种宽禁带直接带隙化合物半导体材料，在常温下有3.37 eV的禁带宽度而且有多达60 meV激子束缚能，具有优异的光学和电学特性。非故意掺杂的氧化锌...